外媒：NAND闪存或将抢先用上Intel 10nm工艺

　　9月27日消息 Intel前些天首次公开展示了自家最新的10nm制程工艺，并表示将在今年开始量产基于该工艺的Cannon Lake处理器！而据外媒最新消息显示，被Intel寄予厚望的10nm制程工艺或将抢先用在NAND闪存上。这究竟是怎么回事呢？

　　报道称，Intel计划在自家最新的64层NAND闪存上使用最新的10nm制程工艺，至于为什么率先使用10nm工艺，业界认为相比较于CPU，NAND结构相对简单，基本上就是海量同类晶体管堆积。

　　此外，前些天还有外媒放出消息称，由于Intel的10nm制程工艺出现了一些问题，代号为“Cannon Lake”的第一代10nm芯片要延迟到2018年年底才有望正式发布！对此，Intel方面显然并不认同这一报道，并表示，“Intel 10nm在2017年第四季度就可以实现投产。”那么，小伙伴们又如何看待此事呢？